Samsung 990 EVO Plus (2000 GB, M.2 2280)

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Samsung 990 EVO Plus (2000 GB, M.2 2280)

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Beschreibung

Erledigen Sie Ihre Aufgaben im Handumdrehen. Der 990 EVO Plus mit modernem NAND-Flash-Speicher bietet sequentielle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Große Dateien werden schnell übertragen. Beeindruckende Leistung über den ganzen Tag hinweg. Hohe Effizienz für hohe Leistung. Der vernickelte Controller erhöht die MB/s pro Watt im Vergleich zum 990 EVO um bis zu 73 %, während er die gleiche Leistung und thermische Kontrolle bei reduziertem Energieverbrauch erreicht. Konzentrieren Sie sich voll und ganz auf Ihre Arbeit oder Ihr Spiel, ohne sich Gedanken über Überhitzung oder die Akkulaufzeit machen zu müssen.

Nutzen Sie die Leistung Ihres Laufwerks mit dem intelligenten TurboWrite 2.0 voll aus. Verarbeiten Sie große Datenmengen schnell und bewältigen Sie anspruchsvolle Grafiken mit einem großen TurboWrite-Bereich, der jetzt mit einer Kapazität von bis zu 4 TB verfügbar ist. Moderne Laufwerksverwaltung wie von Zauberhand – mit der Software Samsung Magician. Diese benutzerfreundliche Softwarelösung kann Ihnen dabei helfen, Ihre SSD im Blick zu behalten. So können Sie Ihr Laufwerk mit Updates auf dem neuesten Stand halten, Zustands- und Geschwindigkeitswerte überwachen und auch die Leistung anpassen.

Es wird empfohlen, die Firmware Ihrer Samsung SSDs stets auf die neueste Version zu aktualisieren.

Seit Jahrzehnten ist der NAND-Flash-Speicher von Samsung ein Motor für moderne Technologien, die unser tägliches Leben verändert haben. Die NAND-Flash-Technologie treibt SSDs an und ebnet den Weg für den nächsten Schub moderner Technologie. Mit sequentiellen Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s ist der 990 EVO Plus bis zu 45 % schneller als der 990 EVO.

Bis zu 73 % mehr Energieeffizienz im Vergleich zum 990 EVO für mehr MB/s pro Watt bei gleichbleibender Leistung und thermischer Kontrolle.

Große Kapazität von bis zu 4 TB und schnelles, intelligentes TurboWrite 2.0 mit erweitertem TurboWrite-Bereich.

Referenzen

Herstellerartikelnummer MZ-V9S2T0BW
EAN 8806095575650

Eigenschaften

Schnittstelle PCIe
Schnittstellenversion PCIe 4.0
Protokoll NVMe
Übertragungsrate (Lesen)i 7250 MB/s
Übertragungsrate (Schreiben)i 6300 MB/s
Max. Random 4k Leseni 1000000 IOPS
Max. Random 4k Schreibeni 1350000 IOPS
Artikelnummer 49727921
Hersteller Samsung
Kategorie SSD
Hersteller-Ref. MZ-V9S2T0BW
Erscheinungsdatum 13/9/2024
Verkaufsrang in der Kategorie SSD 5 von 3201
SSD-Typ M.2-SSD
Formfaktor M.2 2280
Speicherplatz 2000 GB
Speichertyp (NAND) TLC
Speicher-Kühlung ohne Kühlkörper
Anwendungsbereich Vielseitig
SSD-Eigenschaften AES-Verschlüsselung
Max. TBW 1200 TB
MTBFi 1500000 h
Energieverbrauch 4.60 W
Verbrauch im Ruhezustandi 0.06 W
Herkunftslandi China
Herstellerverpflichtungi RE100i
CO₂-Emission 0.22 kg
Klimabeitrag CHF 0.11
Lieferumfang SSD
Länge 8.02 cm
Breite 2.20 cm
Höhe 0.24 cm
Gewicht 9 g

Spezifikationen techniques

Caracteristiques du ssd
Cryptage AES
Categorie
SSD
Champ d application
Polyvalent
Classement des ventes dans categorie ssd
5 de 3201
Co emission
0.22 kg
Consommation d energie
4.60 W
Consommation en veillei
0.06 W
Contenu de la livraison
SSD
Contribution climatique
CHF 0.11
Date de sortie
13/9/2024
Engagement des fabricantsi
RE100i
Espace de stockage
2000 Go
Fabricant
Samsung
Facteur de forme
M.2 2280
Hauteur
0.24 cm
Interface
PCIe
Largeur
2.20 cm
Longueur
8.02 cm
Max random 4k readi
1000000 IOPS
Max random 4k writei
1350000 IOPS
Max tbw
1200 To
Memoire refroidissement
sans heatsink
Mtbfi
1500000 h
Numero d article
49727921
Pays d originei
Chine
Poids
9 g
Protocole
NVMe
Ref du fabricant
MZ-V9S2T0BW
Taux de transfert ecriture i
6300 MB/s
Taux de transfert lecture i
7250 MB/s
Type de memoire nand
TLC
Type de ssd
SSD M.2
Version des interfaces
PCIe 4.0

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