Samsung 990 EVO Plus (2000 Go, M.2 2280)

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Samsung 990 EVO Plus (2000 Go, M.2 2280)

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Beschreibung

Accomplissez vos tâches en un clin d'œil. Le 990 EVO Plus avec mémoire flash NAND actuelle offre des vitesses de lecture et d'écriture séquentielles allant jusqu'à 7 250/6 300 Mo/s. Les gros fichiers sont transférés rapidement. Avec une puissance impressionnante tout au long de la journée. Beaucoup d'efficacité pour des performances élevées. Le contrôleur plaqué nickel augmente les Mo/s par watt de jusqu'à 73 % par rapport au 990 EVO, tout en atteignant les mêmes performances et contrôle thermique avec une consommation d'énergie réduite. Concentrez-vous entièrement sur votre travail ou vos jeux, sans vous soucier de la surchauffe ou de l'autonomie de la batterie.

Exploitez pleinement la puissance de votre disque avec le TurboWrite 2.0 intelligent. Traitez rapidement de grandes quantités de données et gérez des graphiques exigeants avec une grande zone TurboWrite, désormais disponible avec une capacité allant jusqu'à 4 To. Une gestion moderne des disques comme par magie – avec le logiciel Samsung Magician. Cette solution logicielle conviviale peut vous aider à garder un œil sur votre SSD. Vous pouvez ainsi maintenir votre disque à jour avec des mises à jour, surveiller les paramètres d'état et la vitesse, et également ajuster les performances.

Il est recommandé de toujours mettre à jour le firmware de vos SSD Samsung vers la dernière version.

Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung est un moteur pour les technologies modernes qui ont transformé notre vie quotidienne. La technologie NAND flash alimente les SSD et ouvre la voie à la prochaine poussée de la technologie moderne. Des vitesses de lecture séquentielles allant jusqu'à 7 250 Mo/s rendent le 990 EVO Plus jusqu'à 45 % plus rapide que le 990 EVO.

Jusqu'à 73 % d'efficacité énergétique en plus par rapport au 990 EVO pour plus de Mo/s par watt avec des performances et un contrôle thermique constants.

Grande capacité allant jusqu'à 4 To et TurboWrite 2.0 intelligent rapide avec une zone TurboWrite agrandie.

Références

N° d'article fabricant MZ-V9S2T0BW
EAN 8806095575650

Caractéristiques

Interface PCIe
Version des interfaces PCIe 4.0
Protocole NVMe
Taux de transfert (lecture)i 7250 MB/s
Taux de transfert (écriture)i 6300 MB/s
Max. Random 4k Readi 1000000 IOPS
Max. Random 4k Writei 1350000 IOPS
Numéro d'article 49727921
Fabricant Samsung
Catégorie SSD
Réf. du fabricant MZ-V9S2T0BW
Date de sortie 13/9/2024
Classement des ventes dans Catégorie SSD 5 de 3189
Type de SSD SSD M.2
Facteur de forme M.2 2280
Espace de stockage 2000 Go
Type de mémoire (NAND) TLC
Mémoire Refroidissement sans heatsink
Champ d'application Polyvalent
Caractéristiques du SSD Cryptage AES
Max. TBW 1200 To
MTBFi 1500000 h
Consommation d'énergie 4.60 W
Consommation en veillei 0.06 W
Pays d'originei Chine
Engagement des fabricantsi RE100i
CO₂-Emission 0.22 kg
Contribution climatique CHF 0.11
Contenu de la livraison SSD
Longueur 8.02 cm
Largeur 2.20 cm
Hauteur 0.24 cm
Poids 9 g

Spezifikationen techniques

Caracteristiques du ssd
Cryptage AES
Categorie
SSD
Champ d application
Polyvalent
Classement des ventes dans categorie ssd
5 de 3189
Co emission
0.22 kg
Consommation d energie
4.60 W
Consommation en veillei
0.06 W
Contenu de la livraison
SSD
Contribution climatique
CHF 0.11
Date de sortie
13/9/2024
Engagement des fabricantsi
RE100i
Espace de stockage
2000 Go
Fabricant
Samsung
Facteur de forme
M.2 2280
Hauteur
0.24 cm
Interface
PCIe
Largeur
2.20 cm
Longueur
8.02 cm
Max random 4k readi
1000000 IOPS
Max random 4k writei
1350000 IOPS
Max tbw
1200 To
Memoire refroidissement
sans heatsink
Mtbfi
1500000 h
Numero d article
49727921
Pays d originei
Chine
Poids
9 g
Protocole
NVMe
Ref du fabricant
MZ-V9S2T0BW
Taux de transfert ecriture i
6300 MB/s
Taux de transfert lecture i
7250 MB/s
Type de memoire nand
TLC
Type de ssd
SSD M.2
Version des interfaces
PCIe 4.0

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